在3d nand闪存技术领域，sk海力士正推进一项重要布局。据韩媒报道，该公司计划在大连二厂建设采用浮栅（fg）结构的3d nand产线，目标层数达到200层中段（约250层）。这一决策使其成为全球主要闪存厂商中，唯一坚持fg技术路线的企业。
当前，三星、美光、铠侠等厂商均采用电荷阱（ct）结构生产3d nand，而sk海力士通过收购英特尔闪存业务，保留了fg nand生产线。其大连一厂已具备192层fg nand的量产能力，为技术迭代奠定了基础。去年，该公司已完成200层以上fg nand的研发，现正将重心转向量产准备。
根据规划，sk海力士将于2026年第三季度在大连二厂建设中试线，相关设备采购已启动。若进展顺利，预计2027年下半年可实现全面量产。这一时间表显示，该公司正加速推进fg技术向更高层数的突破。
技术路线选择背后，是sk海力士对市场需求的精准判断。fg结构在每单元存储比特数更高的qlc nand闪存中表现更优，而ai推理等应用场景对读取密集型ssd的需求持续增长，恰好与qlc的特性契合。延续fg技术路线也有助于旗下solidigm保持产品开发的连贯性，巩固其在特定市场的竞争优势。
