中微公司（amec）在近期举办的semicon china展会上重磅推出四款半导体制造设备，覆盖硅基及化合物半导体关键工艺领域。这些新产品不仅丰富了中微的产品矩阵，更通过技术创新提升了系统化九游会j9登录入口的解决方案能力，为半导体产业升级注入新动能。
针对先进节点高深宽比刻蚀需求，中微推出新一代电感耦合等离子体刻蚀设备primo angnova。该设备采用中心抽气设计，配备对称气流控制阀与高速分子泵系统，可实现超高反应气体通量。其核心创新在于集成第二代lcc射频线圈与mftr直流磁场辅助线圈，配合四段脉冲控制技术，可独立调节离子浓度与能量。设备搭载的超低频射频等离子体源能产生极高离子能量，显著提升高深宽比结构的刻蚀精度。温度控制方面，200区独立温控的durga iii esc静电吸盘结合晶圆边缘aeit技术，确保片内刻蚀均匀性优于行业平均水平。系统集成上，primo angnova可配置6个主刻蚀腔与2个除胶腔，降低综合运营成本达30%。
面向gaa、3d nand等新型存储器件工艺，中微同步推出高选择性刻蚀机primo domingo。该设备采用全对称腔体结构与优化流场设计，通过集成气柜缩短气体注入路径，实现纳秒级脉冲控制。设备内部采用高抗腐蚀管路与特殊涂层，可稳定处理高活性刻蚀气体。双制冷/双加热晶圆基座支持-20℃至300℃宽温区控制，配合primo c6v3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔与辅助退火腔。实际测试显示，该设备在3d nand堆叠层刻蚀中，关键尺寸均匀性（cdu）控制在1.2nm以内，达到国际领先水平。
在射频控制领域，中微发布的smart rf match智能匹配器实现技术突破。该设备首次引入射频回路专网概念，通过ethercat总线实现射频电源与匹配器的毫秒级通信。基于自主开发的智能算法，设备可自动选择电源频率调节范围与匹配模式，匹配速度较传统设备提升百倍以上。在客户端5nm逻辑工艺测试中，该系统使射频信号匹配速度提升225%，刻蚀效率提高15%，同时将等离子体稳定性波动控制在0.3%以内，显著提升良品率。
针对micro led量产需求，中微推出preciomo udx mocvd设备。该设备采用水平式双旋转反应室设计，通过温场与流场协同优化，将波长均匀性提升至99.5%以上。设备支持18片6英寸或12片8英寸氮化镓外延片同步加工，每个反应腔独立控制，满足多波长共蒸需求。全自动化efem传输系统与smif标准接口，将颗粒污染控制在个位数级别，为micro led商业化生产提供关键装备支撑。
